Verfahren zur Herstellung von einer Schottky Diode in Siliziumkarbid
EP1330836
Art B1
11. Januar 2006
Anmelder: STMicroelectronics S.A. 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1330836
- Aktenzeichen
- EP01983662
- Anmeldetag
- 30. Oktober 2001
- Veröffentlichung
- 11. Januar 2006
- Erteilung
- 11. Januar 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20H01L21/329H01L29/872
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- STMicroelectronics S.A.
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇨🇭
STMicroelectronics International
Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
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Vertreten von
de Beaumont, Michel
Grenoble, Frankreich
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