Verfahren zur Regelung der Spannungen von Drain und Substrat einer nichtflüchtigen Speicherzelle während des Programmierens und dementsprechende Programmierschaltung
EP1331645
Art A3
4. Februar 2004
Anmelder: STMicroelectronics Srl, STMicroelectronics S.r.l. 🇮🇹
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1331645
- Aktenzeichen
- EP02029092
- Anmeldetag
- 30. Dezember 2002
- Veröffentlichung
- 4. Februar 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C16/30
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- STMicroelectronics Srl
STMicroelectronics S.r.l. - Land
- 🇮🇹 Italien
🇮🇹
STMicroelectronics Italy
Italienische Konzerngesellschaft des schweizerisch-französischen Halbleiterherstellers STMicroelectronics. Entwickelt und fertigt Halbleiterkomponenten für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.
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Niederkofler, Oswald
München, Deutschland
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Botti, Mario
Botti & Ferrari S.p.A · Milano