Doppeldiffundierter MOSFET
EP1331672
Art B1
26. März 2008
Anmelder: ROHM CO., LTD., Rohm Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1331672
- Aktenzeichen
- EP03001022
- Anmeldetag
- 17. Januar 2003
- Veröffentlichung
- 26. März 2008
- Erteilung
- 26. März 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/739H01L29/08
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- ROHM CO., LTD.
Rohm Co., Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
2.771 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Böckelen, Rainer
München, Deutschland
191
Patente gesamt
28
Fachgebiete
9
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Weitere Vertreter
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TBK
TBK · München
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TBK-Patent
TBK-Patent · München