Verfahren zur Herstellung einer Dünnen Kristallplatte und Solarzelle mit Dünner Kristallplatte

EP1333111 Art A1 6. August 2003

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1333111
Aktenzeichen: EP01954473
Anmeldetag: 6. August 2001
Veröffentlichung: 6. August 2003
Rechtsraum: EP
IPC: C30B29/06C30B19/12H01L21/208H01L31/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

19.779 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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