Verfahren zum Herstellen eines Hohlraums in einem monokristallinen Siliziumsubstrat und Halbleiterbaustein mit einem Hohlraum in einem monokristallinen Siliziumsubstrat mit einer epitaktischen Deckschicht
EP1333472
Art A2
6. August 2003
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1333472
- Aktenzeichen
- EP03000289
- Anmeldetag
- 9. Januar 2003
- Veröffentlichung
- 6. August 2003
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
4.872 Patente in unserer Datenbank