Verfahren zur Herstellung eines aus halbleitendem Siliziumkarbid-auf-Isolator Substrates (SOI) und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
EP1333482
Art B1
25. Juni 2008
Anmelder: Osaka Prefecture University Public Corporation, OSAKA PREFECTURE, HOSIDEN CORPORATION, Osaka Prefecture, Hosiden Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1333482
- Aktenzeichen
- EP03250583
- Anmeldetag
- 30. Januar 2003
- Veröffentlichung
- 25. Juni 2008
- Erteilung
- 25. Juni 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762H01L21/20H01L21/205C23C16/02C23C16/32H01L21/324
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Osaka Prefecture University Public Corporation
OSAKA PREFECTURE
HOSIDEN CORPORATION
Osaka Prefecture
Hosiden Corporation - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Hosiden
Hosiden ist ein japanischer Hersteller von elektronischen Steckverbindern, Sensoren und Wandlerkomponenten. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Nachrichtentechnik, ergänzt durch Software und Optik für Verbindungstechnik. Anmeldungen reichen von 2000 bis in die Gegenwart.
480 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Beresford, Keith Denis Lewis
London, Großbritannien
4.132
Patente gesamt
33
Fachgebiete
38
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Schwerpunkte