Herstellungsverfahren für einen Siliziumwafer
EP1335421
Art B1
29. Dezember 2010
Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd., Shin-Etsu Handotai Co., Ltd 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1335421
- Aktenzeichen
- EP01976791
- Anmeldetag
- 22. Oktober 2001
- Veröffentlichung
- 29. Dezember 2010
- Erteilung
- 29. Dezember 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/322
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Shin-Etsu Handotai Co., Ltd - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
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