Plasmaröntgenquelle in einer Vakuumkammer, mit verringerter Aufheizung der darin befindlichen Komponenten, und Mikrolithographiesystem das diese enthält

EP1335640 Art A3 21. Februar 2007

Anmelder: NIKON CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1335640
Aktenzeichen
EP03002336
Anmeldetag
3. Februar 2003
Veröffentlichung
21. Februar 2007
Rechtsraum
EP
IPC
H05G2/00
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
NIKON CORPORATION
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Nikon

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio. Nikon entwickelt optische Geräte und Präzisionstechnik, darunter Kameras, Objektive, Mikroskope sowie Lithografie- und Messsysteme für die Halbleiterfertigung.

5.286 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen