Vorrichtung und Verfahren zur Dotierung von Atomschichten
EP1335998
Art B1
10. November 2004
Anmelder: Micron Technology, Inc., MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1335998
- Aktenzeichen
- EP01985952
- Anmeldetag
- 22. August 2001
- Veröffentlichung
- 10. November 2004
- Erteilung
- 10. November 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B31/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Micron Technology, Inc.
MICRON TECHNOLOGY, INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Fachgebiete
Vertreten von
Collins, John David
London, Großbritannien
1.014
Patente gesamt
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17
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