Verfahren zur Herstellung eines Substrats Inbesondere für Optik,elektronik oder Optoelektronik und Danach Hergestelltes Substrat
EP1338030
Art B1
22. Juni 2011
Anmelder: Soitec, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1338030
- Aktenzeichen
- EP01997839
- Anmeldetag
- 26. November 2001
- Veröffentlichung
- 22. Juni 2011
- Erteilung
- 22. Juni 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20H01L21/302H01L29/165H01L29/205H01L29/267
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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