Halbleiterbauelement und Sein Herstellungsverfahren

EP1339106 Art A1 27. August 2003

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1339106
Aktenzeichen
EP01978889
Anmeldetag
24. Oktober 2001
Veröffentlichung
27. August 2003
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/78H01L21/336H01L21/8234H01L27/088H01L27/06H01L27/04H01L21/822
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Kabushiki Kaisha Toshiba
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

13.645 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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