Feldeffekttransistor
EP1339107
Art B1
30. November 2011
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1339107
- Aktenzeichen
- EP02004148
- Anmeldetag
- 25. Februar 2002
- Veröffentlichung
- 30. November 2011
- Erteilung
- 30. November 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/788
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Repkow, Ines, Dr. Dipl.-Ing
Augsburg, Deutschland
145
Patente gesamt
23
Fachgebiete
9
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Schwerpunkte