Ladungsabfangtransistor
EP1341239
Art B1
1. April 2015
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1341239
- Aktenzeichen
- EP02004568
- Anmeldetag
- 27. Februar 2002
- Veröffentlichung
- 1. April 2015
- Erteilung
- 1. April 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/792
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Repkow, Ines
Augsburg, Deutschland
132
Patente gesamt
21
Fachgebiete
8
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Repkow, Ines, Dr. Dipl.-Ing
NoneAugsburg