Verfahren zur Plasmaabscheidung Ionisierten Metalls mit Verbesserten Seitenwandbedeckung von Kontaktlöchern
EP1342263
Art A2
10. September 2003
Anmelder: NXP B.V., Koninklijke Philips Electronics N.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1342263
- Aktenzeichen
- EP01994718
- Anmeldetag
- 22. November 2001
- Veröffentlichung
- 10. September 2003
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP B.V.
Koninklijke Philips Electronics N.V. - Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.818 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
van der Veer, Johannis Leendert
Eindhoven, Niederlande
1.997
Patente gesamt
25
Fachgebiete
18
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Pennings, Johannes
NoneEindhoven
-
Duijvestijn, Adrianus Johannes
NoneEindhoven