Verfahren zur Herstellung eines Substrats insbesondere für die Optik, Elektronik oder Optoelektronik und Resultierendes Substrat
EP1344246
Art B1
24. Januar 2007
Anmelder: S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1344246
- Aktenzeichen
- EP01997835
- Anmeldetag
- 26. November 2001
- Veröffentlichung
- 24. Januar 2007
- Erteilung
- 24. Januar 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies war ein französischer Hersteller von Silizium-auf-Isolator-Wafern für die Halbleiterindustrie, das heutige Unternehmen firmiert als Soitec. Der Patentbestand konzentriert sich fast ausschließlich auf Halbleiterbauelemente und Waferbondverfahren.
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Texier, Christian
Paris, Frankreich
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