In einem Halbleitersubstrat integrierte Fluxgate-Sonde und dessen Herstellungsverfahren
EP1345038
Art A3
25. Januar 2006
Anmelder: Samsung Electronics Co., Ltd., SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1345038
- Aktenzeichen
- EP02021238
- Anmeldetag
- 18. September 2002
- Veröffentlichung
- 25. Januar 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G01R33/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Samsung Electronics Co., Ltd.
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. - Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
Samsung Electronics
Südkoreanischer Elektronikkonzern und Teil der Samsung-Gruppe. Entwickelt und produziert Halbleiter, Speicherchips, Displays, Smartphones, Unterhaltungselektronik sowie Haushaltsgeräte für den globalen Markt.
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