Polykristalline Speicherstruktur, deren Herstellungsverfahren und Halbleiterspeicherbauelement die diese Struktur verwendet
EP1345259
Art A3
3. Mai 2006
Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1345259
- Aktenzeichen
- EP03251457
- Anmeldetag
- 11. März 2003
- Veröffentlichung
- 3. Mai 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/02G11C11/00H01L21/28
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sharp Kabushiki Kaisha
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sharp
Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.
22.800 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Jacob, Reuben Ellis
London, Großbritannien
1.274
Patente gesamt
34
Fachgebiete
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
West, Alan Harry
NoneLondon