Halbleitervorrichtung und dessen Herstellungsverfahren
EP1349202
Art B1
2. Mai 2012
Anmelder: ROHM CO., LTD., Rohm Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1349202
- Aktenzeichen
- EP03007082
- Anmeldetag
- 28. März 2003
- Veröffentlichung
- 2. Mai 2012
- Erteilung
- 2. Mai 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/18H01L29/24H01L21/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- ROHM CO., LTD.
Rohm Co., Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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Vertreten von
Steil, Christian
Stuttgart, Deutschland
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