Verfahren zur Herstellung von Grabenkondensatoren für Integrierte Halbleiterspeicher
EP1350268
Art A2
8. Oktober 2003
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1350268
- Aktenzeichen
- EP02710780
- Anmeldetag
- 8. Januar 2002
- Veröffentlichung
- 8. Oktober 2003
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8242
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Vertreten von
Ginzel, Christian
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