Verfahren zur Bildung von Vias und Graben mit kontrollierter SiC-Ätzgeschwindigkeit und Selektivität
EP1351290
Art A3
15. Dezember 2004
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1351290
- Aktenzeichen
- EP03100705
- Anmeldetag
- 19. März 2003
- Veröffentlichung
- 15. Dezember 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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Holt, Michael
Northampton, Großbritannien
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