Herstellungsverfahren für einen DRAM- oder FeRAM-Speicher mit zwei Kondensatoren pro Auswahltransistor
EP1352430
Art B1
10. September 2008
Anmelder: Qimonda AG, Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1352430
- Aktenzeichen
- EP01984718
- Anmeldetag
- 14. Dezember 2001
- Veröffentlichung
- 10. September 2008
- Erteilung
- 10. September 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8242H01L21/8247H01L27/108H01L27/115// H01L27/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Qimonda AG
Infineon Technologies AG - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Kottmann, Heinz Dieter
München, Deutschland
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Kottmann, Heinz Dieter, Dipl.-Ing
NoneMünchen