Halbleiterherstellungsverfahren
EP1353362
Art A3
8. März 2006
Anmelder: NORTHROP GRUMMAN CORPORATION, Northrop Grumman Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1353362
- Aktenzeichen
- EP03007967
- Anmeldetag
- 9. April 2003
- Veröffentlichung
- 8. März 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/027H01L21/331H01L21/335
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NORTHROP GRUMMAN CORPORATION
Northrop Grumman Corporation - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Northrop Grumman
US-amerikanischer Rüstungs- und Luftfahrtkonzern mit Sitz in Virginia, tätig in den Bereichen Verteidigungselektronik, Flugzeugbau, Raumfahrt und Cybersicherheit.
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Lieck, Hans-Peter
München, Deutschland
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