Verkappungsschicht für eine Verbesserte Silizidausbildung bei Schmalen Halbleiterstrukturen
EP1356507
Art A1
29. Oktober 2003
Anmelder: International Business Machines Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1356507
- Aktenzeichen
- EP01996224
- Anmeldetag
- 30. Dezember 2001
- Veröffentlichung
- 29. Oktober 2003
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/44
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- International Business Machines Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
IBM
US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.
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Vertreten von
Burt, Roger James
Winchester, Großbritannien
204
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5
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