Strukturelle Verstärkung von Hochporösen Schichten mit Niedriger Dielektrizitätskonstante durch Kupfer-Diffusionsbariere-Strukturen
EP1356509
Art B1
24. Oktober 2012
Anmelder: Intel Corporation, INTEL CORPORATION 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1356509
- Aktenzeichen
- EP01991604
- Anmeldetag
- 18. Dezember 2001
- Veröffentlichung
- 24. Oktober 2012
- Erteilung
- 24. Oktober 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768H01L21/316
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Intel Corporation
INTEL CORPORATION - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
8.816 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Niederkofler, Oswald
München, Deutschland
234
Patente gesamt
26
Fachgebiete
14
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Niederkofler, Oswald A., Dipl.-Phys
NoneMünchen