Bipolartransistor und Verfahren zu dessen Herstellung
EP1356527
Art B1
3. Februar 2010
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1356527
- Aktenzeichen
- EP02714145
- Anmeldetag
- 4. Februar 2002
- Veröffentlichung
- 3. Februar 2010
- Erteilung
- 3. Februar 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/737H01L21/331
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Vertreten von
Ginzel, Christian
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