Hoch Q-Faktor Induktivität mit im Substrat Vergrabenen Faraday-Schirm und Dielektrischer Wanne
EP1358661
Art B1
7. April 2010
Anmelder: International Business Machines Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1358661
- Aktenzeichen
- EP02711020
- Anmeldetag
- 7. Februar 2002
- Veröffentlichung
- 7. April 2010
- Erteilung
- 7. April 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01F17/00H01F27/36
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- International Business Machines Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
IBM
US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.
12.044 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Burt, Roger James
Winchester, Großbritannien
204
Patente gesamt
18
Fachgebiete
5
Anmelder-Länder
Schwerpunkte