Dram-Speicher unter Verwendung von Speicherung Einzelner Elektronen
Anmelder: Conversant Intellectual Property Management Inc., MOSAID Technologies Incorporated, Micron Technology, Inc. 🇨🇦
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1358669
- Aktenzeichen
- EP02709237
- Anmeldetag
- 1. Februar 2002
- Veröffentlichung
- 3. Dezember 2014
- Erteilung
- 3. Dezember 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/335H01L29/76H01L29/06H01L27/108H01L21/266B82Y10/00H01L29/788// H01L27/12G11C16/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Conversant Intellectual Property Management Inc.
MOSAID Technologies Incorporated
Micron Technology, Inc. - Land
- 🇨🇦 Kanada
Mosaid Technologies war ein kanadisches Unternehmen für Halbleiterdesign und Patentlizenzierung im Speicherbereich. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Akustik- und Datenspeichertechnik sowie Software und Nachrichtentechnik, ergänzt durch Elektronik. Die Anmeldungen aus 2000 bis 2019 betreffen unter anderem Netzzugangsdienste und Ringtopologie-Statusanzeigen.
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US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Collins, John David
NoneLondon