Verfahren zur Herstellung Ferroelektrischer Kondensatoren und Integrierter Halbleiterspeicherbausteine
EP1358671
Art A2
5. November 2003
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1358671
- Aktenzeichen
- EP01990318
- Anmeldetag
- 18. Dezember 2001
- Veröffentlichung
- 5. November 2003
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Vertreten von
Kottmann, Heinz Dieter
München, Deutschland
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