Delaminationsverfahren von Materialschichten
EP1359615
Art B1
29. Oktober 2008
Anmelder: S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1359615
- Aktenzeichen
- EP03291052
- Anmeldetag
- 30. April 2003
- Veröffentlichung
- 29. Oktober 2008
- Erteilung
- 29. Oktober 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies war ein französischer Hersteller von Silizium-auf-Isolator-Wafern für die Halbleiterindustrie, das heutige Unternehmen firmiert als Soitec. Der Patentbestand konzentriert sich fast ausschließlich auf Halbleiterbauelemente und Waferbondverfahren.
323 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Texier, Christian
Paris, Frankreich
926
Patente gesamt
34
Fachgebiete
24
Anmelder-Länder
Schwerpunkte