Verfahren zur Dosierung von Elementen aus einem Substrat für Optik, Elektronik oder Optoelektronik
EP1360469
Art B1
24. November 2004
Anmelder: S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1360469
- Aktenzeichen
- EP02704803
- Anmeldetag
- 12. Februar 2002
- Veröffentlichung
- 24. November 2004
- Erteilung
- 24. November 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G01N1/40H01L21/00C01B33/107
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies war ein französischer Hersteller von Silizium-auf-Isolator-Wafern für die Halbleiterindustrie, das heutige Unternehmen firmiert als Soitec. Der Patentbestand konzentriert sich fast ausschließlich auf Halbleiterbauelemente und Waferbondverfahren.
323 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Martin, Jean-Jacques
Paris, Frankreich
30
Patente gesamt
19
Fachgebiete
5
Anmelder-Länder
Schwerpunkte