Verfahren zur Formgebung eines Randbereichs eines Wafers
EP1361602
Art A3
5. Januar 2011
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1361602
- Aktenzeichen
- EP03009260
- Anmeldetag
- 23. April 2003
- Veröffentlichung
- 5. Januar 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/304H01L21/461B24B9/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Vertreten von
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