Verfahren zur Herstellung von integrierten Schaltungen auf einem Halbleitersubstrat
Anmelder: Micron Technology, Inc., STMicroelectronics Srl, STMicroelectronics S.r.l. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1361603
- Aktenzeichen
- EP03009600
- Anmeldetag
- 29. April 2003
- Veröffentlichung
- 24. Juli 2019
- Erteilung
- 24. Juli 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/3065H01L21/768H01L21/311H01L21/3213H01L21/027
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Micron Technology, Inc.
STMicroelectronics Srl
STMicroelectronics S.r.l. - Land
- 🇺🇸 USA
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
5.075 Patente in unserer Datenbank
Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
4.265 Patente in unserer Datenbank
Italienische Konzerngesellschaft des schweizerisch-französischen Halbleiterherstellers STMicroelectronics. Entwickelt und fertigt Halbleiterkomponenten für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.
2.340 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
-
Carpmaels & Ransford LLP
Carpmaels & Ransford LLP · London
-
Ferrari, Barbara
Botti & Ferrari S.p.A · Milano