Halbleiterbauelementeherstellungsverfahren
Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Sanyo Electric Co., Ltd., Japan Science and Technology Agency, SANYO ELECTRIC CO., LTD., JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1361614
- Aktenzeichen
- EP02711222
- Anmeldetag
- 24. Januar 2002
- Veröffentlichung
- 26. Dezember 2012
- Erteilung
- 26. Dezember 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/04H01L29/78H01L21/316
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Sanyo Electric Co., Ltd.
Japan Science and Technology Agency
SANYO ELECTRIC CO., LTD.
JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY CORPORATION - Land
- 🇯🇵 Japan
Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.
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Ehemaliger japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Osaka, seit 2011 Teil des Panasonic-Konzerns. Sanyo war aktiv in Unterhaltungselektronik, Halbleitern, Batterietechnik und Solartechnologie.
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Japanische staatliche Förderorganisation für Wissenschaft und Technologie, die Forschungsprojekte finanziert und den Technologietransfer zwischen Universitäten und Industrie unterstützt. Die Behörde untersteht dem japanischen Bildungsministerium.
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Japan Science and Technology ist eine japanische staatliche Einrichtung zur Förderung von Wissenschaft und Technologie, aus der später die Japan Science and Technology Agency hervorging. Das Patentportfolio deckt breit Pharma und Biotechnologie, organische Chemie sowie Mess- und Prüftechnik ab. Anmeldungen liegen im Zeitraum 2000 bis 2005.
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Fachgebiete
-
Smith, Norman Ian
NoneLondon