Programmierverfahren von Speicherzellen in einer nichtflüchtigen Mehrpegelspeicheranordnung

EP1363292 Art B1 8. August 2012

Anmelder: Micron Technology, Inc., STMicroelectronics Srl, STMicroelectronics S.r.l. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1363292
Aktenzeichen
EP03010684
Anmeldetag
13. Mai 2003
Veröffentlichung
8. August 2012
Erteilung
8. August 2012
Rechtsraum
EP
IPC
G11C16/10G11C11/56
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Micron Technology, Inc.
STMicroelectronics Srl
STMicroelectronics S.r.l.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

3.194 Patente in unserer Datenbank

🇨🇭 STMicroelectronics International

Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.

3.785 Patente in unserer Datenbank

🇮🇹 STMicroelectronics Italy

Italienische Konzerngesellschaft des schweizerisch-französischen Halbleiterherstellers STMicroelectronics. Entwickelt und fertigt Halbleiterkomponenten für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.

2.334 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen