Vwerfahren zur Herstellung eines Nitrid-Halbleitersubstrates und Verfahren zur Herstellung eines Nitrid-Halbleiterbauelements
EP1363318
Art A1
19. November 2003
Anmelder: Panasonic Corporation, MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1363318
- Aktenzeichen
- EP02786160
- Anmeldetag
- 20. Dezember 2002
- Veröffentlichung
- 19. November 2003
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20H01L21/268H01L21/205H01S5/22
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Panasonic Corporation
MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Panasonic
Japanischer Konzern, der Haushaltsgeräte, Unterhaltungselektronik, Batterien sowie Komponenten und Lösungen für Industrie und Automobilbau entwickelt und herstellt.
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