GaN-einkristallines Substrat, epitaktisches Nitrid-Typ-Halbleitersubstrat, Nitrid-Typ-Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
EP1363322
Art A3
21. Oktober 2009
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd., Institute of Materials Research and Engineering 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1363322
- Aktenzeichen
- EP03009850
- Anmeldetag
- 13. Mai 2003
- Veröffentlichung
- 21. Oktober 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/324H01L21/20C30B29/40C30B25/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Institute of Materials Research and Engineering - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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