Verfahren für Mehrschichtige Kupferverbindungen für die Ultrahöchstintegration
EP1366513
Art A1
3. Dezember 2003
Anmelder: Micron Technology, Inc., MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1366513
- Aktenzeichen
- EP02714825
- Anmeldetag
- 4. Februar 2002
- Veröffentlichung
- 3. Dezember 2003
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/4763
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Micron Technology, Inc.
MICRON TECHNOLOGY, INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Vertreten von
Hirsch, Peter
München, Deutschland
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