HF-Leistungs-DMOS-Transistor
EP1366526
Art A1
3. Dezember 2003
Anmelder: Infineon Technologies AG, Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ), Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1366526
- Aktenzeichen
- EP02704004
- Anmeldetag
- 7. März 2002
- Veröffentlichung
- 3. Dezember 2003
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/417H01L29/423H01L23/482
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Infineon Technologies AG
Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ)
Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
4.872 Patente in unserer Datenbank
🇸🇪
Ericsson
Schwedischer Telekommunikationskonzern mit Sitz in Stockholm. Ericsson entwickelt Netzwerkinfrastruktur, Mobilfunktechnologien (u.a. 5G) und Kommunikationslösungen für Netzbetreiber und Unternehmen weltweit.
27.748 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Fritzon, Rolf
Stockholm, Schweden
317
Patente gesamt
26
Fachgebiete
13
Anmelder-Länder
Schwerpunkte