Halbleiterschalter mit isolierten MOS-Transistoren
EP1367717
Art B1
21. Dezember 2005
Anmelder: NEC Electronics Corporation, NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1367717
- Aktenzeichen
- EP03090167
- Anmeldetag
- 30. Mai 2003
- Veröffentlichung
- 21. Dezember 2005
- Erteilung
- 21. Dezember 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H03K17/693
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NEC Electronics Corporation
NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
NEC
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.
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