Herstellungsverfahren für MOS-Transistor mit verringerter Gate-Länge und einen solchen Transistor enthaltener integrierter Schaltkreis
Anmelder: STMicroelectronics S.A., Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1369909
- Aktenzeichen
- EP03291262
- Anmeldetag
- 27. Mai 2003
- Veröffentlichung
- 2. Februar 2011
- Erteilung
- 2. Februar 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L21/265
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- STMicroelectronics S.A.
Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE - Land
- 🇫🇷 Frankreich
Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
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Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
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Fachgebiete
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