Verfahren zur Herstellung eines Transistorgatters mit Erhöhter Leistung mittels Elektronenstrahlung und Integrierte Schaltung mit Diesem Transistorgatter

EP1374289 Art B1 3. Dezember 2008

Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC., ADVANCED MICRO DEVICES INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1374289
Aktenzeichen
EP02736491
Anmeldetag
22. Februar 2002
Veröffentlichung
3. Dezember 2008
Erteilung
3. Dezember 2008
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/027H01L21/308
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
ADVANCED MICRO DEVICES INC.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Advanced Micro Devices

US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.

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