Verfahren zur Herstellung einer Dielektrischen Schicht mit Hoher Dielektrizitätskonstante zwischen Polysiliziumschichten
EP1374292
Art A2
2. Januar 2004
Anmelder: ATMEL CORPORATION 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1374292
- Aktenzeichen
- EP02709008
- Anmeldetag
- 10. Januar 2002
- Veröffentlichung
- 2. Januar 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ATMEL CORPORATION
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Atmel
Atmel war ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller für Mikrocontroller und wurde 2016 von Microchip Technology übernommen. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Software und Datenverarbeitung sowie Halbleiterbauelemente, ergänzt um Datenspeicherung und Elektronik. Anmeldungen liegen im Zeitraum 2000 bis 2021.
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Vertreten von
Käck, Jürgen
Landsberg am Lech, Deutschland
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