Feldeffekttransistorstruktur und Herstellungsverfahren
EP1374312
Art A2
2. Januar 2004
Anmelder: NXP B.V., Koninklijke Philips Electronics N.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1374312
- Aktenzeichen
- EP02708567
- Anmeldetag
- 19. März 2002
- Veröffentlichung
- 2. Januar 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/41H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP B.V.
Koninklijke Philips Electronics N.V. - Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Crawford, Andrew
Nijmegen, Niederlande
618
Patente gesamt
20
Fachgebiete
6
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
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Williamson, Paul Lewis
NoneEindhoven
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White, Andrew Gordon
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NoneEindhoven