Silizium-Auf-Isolator (soi) Grabenfotodiode und Herstellungsverfahren
EP1374318
Art A2
2. Januar 2004
Anmelder: International Business Machines Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1374318
- Aktenzeichen
- EP01972249
- Anmeldetag
- 28. September 2001
- Veröffentlichung
- 2. Januar 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L31/101H01L31/0232H01L31/0236H01L31/0352
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- International Business Machines Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
IBM
US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.
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Fachgebiete
Vertreten von
Burt, Roger James
Winchester, Großbritannien
204
Patente gesamt
18
Fachgebiete
5
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Schwerpunkte