Lokalisierte Dotierung und/oder Legierung der Metallisierung zur Verbesserung der Leistung einer Verbindungsstruktur
EP1376685
Art A3
22. Dezember 2004
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1376685
- Aktenzeichen
- EP03101890
- Anmeldetag
- 25. Juni 2003
- Veröffentlichung
- 22. Dezember 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
3.600 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Holt, Michael
Northampton, Großbritannien
1.203
Patente gesamt
19
Fachgebiete
7
Anmelder-Länder
Schwerpunkte