Gate und Cmos-Struktur und Mos-Struktur
EP1376702
Art A1
2. Januar 2004
Anmelder: National Institute for Materials Science 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1376702
- Aktenzeichen
- EP02705064
- Anmeldetag
- 1. März 2002
- Veröffentlichung
- 2. Januar 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/49
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National Institute for Materials Science
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute for Materials Science
Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.
828 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Calamita, Roberto
London, Großbritannien
317
Patente gesamt
25
Fachgebiete
5
Anmelder-Länder
Schwerpunkte