Unterdrückung von N-Typ-Selbstdotierung in Niedertemperatur-Epitaxy von Sige
EP1377697
Art A1
7. Januar 2004
Anmelder: NXP B.V., Koninklijke Philips Electronics N.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1377697
- Aktenzeichen
- EP02702608
- Anmeldetag
- 4. März 2002
- Veröffentlichung
- 7. Januar 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B25/02C30B29/10H01L21/22
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP B.V.
Koninklijke Philips Electronics N.V. - Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.818 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Williamson, Paul Lewis
Eindhoven, Niederlande
1.451
Patente gesamt
19
Fachgebiete
11
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
White, Andrew Gordon
NoneEindhoven
-
Duijvestijn, Adrianus Johannes
NoneEindhoven