Verfahren zur Herstellung von Transistoren mit Optimierten Source-Drain-Strukturen
EP1380049
Art B1
23. März 2011
Anmelder: NXP B.V., Philips Semiconductors Inc., Koninklijke Philips Electronics N.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1380049
- Aktenzeichen
- EP01905316
- Anmeldetag
- 31. Januar 2001
- Veröffentlichung
- 23. März 2011
- Erteilung
- 23. März 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L21/265H01L29/08
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP B.V.
Philips Semiconductors Inc.
Koninklijke Philips Electronics N.V. - Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.918 Patente in unserer Datenbank
🇳🇱
Philips
Niederländisches Technologieunternehmen mit Sitz in Amsterdam, spezialisiert auf Medizintechnik, Diagnosegeräte, Patientenüberwachung sowie Gesundheits- und Wellnessprodukte.
45.047 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Williamson, Paul Lewis
Eindhoven, Niederlande
1.451
Patente gesamt
19
Fachgebiete
11
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
White, Andrew Gordon
NoneEindhoven
-
Duijvestijn, Adrianus Johannes
NoneEindhoven