Dram-Transistor mit Vergrabenem Gate und Herstellungsverfahren
EP1382059
Art A2
21. Januar 2004
Anmelder: Micron Technology, Inc., MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1382059
- Aktenzeichen
- EP02731519
- Anmeldetag
- 26. April 2002
- Veröffentlichung
- 21. Januar 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Micron Technology, Inc.
MICRON TECHNOLOGY, INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
3.194 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Maury, Richard Philip
St. Albans, Großbritannien
1.676
Patente gesamt
34
Fachgebiete
24
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Collins, John David
NoneLondon