Verfahren zur Minimierung der Wolframoxidabscheidung bei der Selektiven Seitenwandoxidation von Wolfram-Silizium-Gates
EP1382062
Art B1
14. November 2007
Anmelder: Infineon Technologies AG, Mattson Thermal Products GmbH, Mattson Thermal Products Gmbh 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1382062
- Aktenzeichen
- EP02766602
- Anmeldetag
- 10. April 2002
- Veröffentlichung
- 14. November 2007
- Erteilung
- 14. November 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28H01L21/321
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Infineon Technologies AG
Mattson Thermal Products GmbH
Mattson Thermal Products Gmbh - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Vertreten von
Graf Lambsdorff, Matthias
München, Deutschland
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